晶圓制程檢測設備幾何量測系統

WD4000晶圓制程檢測設備幾何量測系統通過(guò)非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數據更準確。

測量功能

1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；

2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀(guān)幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標準濾波、過(guò)濾頻譜等功能；提取包括提取區域和提取剖面等功能。

4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線(xiàn)度、圓度形位公差評定等；粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線(xiàn)粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數；結構分析包括孔洞體積和波谷。

性能特點(diǎn)

自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數，同時(shí)生成Mapping圖；

2、采用白光干涉測量技術(shù)對Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖，高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數；

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀，通過(guò)數值七點(diǎn)相移算法計算，達到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實(shí)現膜厚測量功能；

4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度，包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。

WD4000晶圓制程檢測設備幾何量測系統廣泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)，實(shí)現砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測。

產(chǎn)品優(yōu)勢

1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組，使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。

2、高精度厚度測量技術(shù)

（1）采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進(jìn)行高效掃描。

（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤(pán)，晶圓規格最大可支持至12寸。

（3）采用Mapping跟隨技術(shù)，可編程包含多點(diǎn)、線(xiàn)、面的自動(dòng)測量。

3、高精度三維形貌測量技術(shù)

（1）采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；

（2）隔振設計降低地面振動(dòng)和空氣聲波振動(dòng)噪聲，獲得高測量重復性。

（3）機器視覺(jué)技術(shù)檢測圖像Mark點(diǎn)，虛擬夾具擺正樣品，可對多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動(dòng)化連續測量。

4、大行程高速龍門(mén)結構平臺

（1）大行程龍門(mén)結構(400x400x75mm)，移動(dòng)速度500mm/s。

（2）高精度花崗巖基座和橫梁，整體結構穩定、可靠。

（3）關(guān)鍵運動(dòng)機構采用高精度直線(xiàn)導軌導引、AC伺服直驅電機驅動(dòng)，搭配分辨率0.1μm的光柵系統，保證設備的高精度、高效率。

5、操作簡(jiǎn)單、輕松無(wú)憂(yōu)

（1）集成XYZ三個(gè)方向位移調整功能的操縱手柄，可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作。

（2）具備雙重防撞設計，避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。

（3）具備電動(dòng)物鏡切換功能，讓觀(guān)察變得快速和簡(jiǎn)單。

應用場(chǎng)景

1、無(wú)圖晶圓厚度、翹曲度的測量

通過(guò)非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護膜或圖案的晶片的完整性。

2、無(wú)圖晶圓粗糙度測量

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來(lái)反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車(chē)間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數據計算重復性為0.046987nm，測量穩定性良好。

部分技術(shù)規格

懇請注意：因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內容可能會(huì )根據實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請諒解。

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