晶圓面型參數厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數。其中TTV、BOW、Warp三個(gè)參數反映了半導體晶圓的平面度和厚度均勻性，對于芯片制造過(guò)程中的多個(gè)關(guān)鍵工藝質(zhì)量有直接影響。

TTV、BOW、WARP對晶圓制造工藝的影響

?對化學(xué)機械拋光工藝的影響：拋光不均勻，可能會(huì )導致CMP過(guò)程中的不均勻拋光，從而造成表面粗糙和殘留應力。

?對薄膜沉積工藝的影響：凸凹不平的晶圓在沉積過(guò)程中會(huì )導致沉積薄膜厚度的不均勻，影響隨后的光刻和蝕刻過(guò)程中創(chuàng )建電路圖案的精度。

?對光刻工藝的影響：影響聚焦；不平整的晶圓，在光刻過(guò)程中，會(huì )導致光刻焦點(diǎn)深度變化，從而影響光刻圖案的質(zhì)量。

?對晶圓裝載工藝的影響：在自動(dòng)裝載過(guò)程中，凸凹的晶圓容易損壞。如碳化硅襯底加工過(guò)程中，一般還會(huì )在切割工藝時(shí)留有余量，以便在后續研磨拋光過(guò)程中減小TTV、BOW、Warp的數值。

TTV、BOW、Warp的區別

TTV描述晶圓的厚度變化，不量測晶圓的彎曲或翹曲；BOW度量晶圓彎曲程度，主要度量考慮中心點(diǎn)與邊緣的彎曲；Warp更全面，度量整個(gè)晶圓表面的彎曲和翹曲。盡管這三個(gè)參數都與晶圓的幾何特性有關(guān)，但量測的關(guān)注點(diǎn)各有不同，對半導體制程和晶圓處理的影響也有所區別。

WD4000系列晶圓幾何量測系統功能及應用方向

WD4000晶圓幾何量測系統可自動(dòng)測量Wafer厚度、彎曲度、翹曲度、粗糙度、膜厚 、外延厚度等參數。該系統可用于測量不同大小、不同材料、不同厚度晶圓的幾何參數;晶圓材質(zhì)如碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等。它是以下測量技術(shù)的組合：

1.光譜共焦技術(shù)測量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數，同時(shí)生成Mapping圖； 

2.三維輪廓測量技術(shù)：對Wafer表面進(jìn)行光學(xué)掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像，高效分析晶圓表面形貌、粗糙度、測量鐳射槽深寬等形貌參數；

3.白光干涉光譜分析儀，可通過(guò)數值七點(diǎn)相移算法計算，以亞納米分辨率測量晶圓表面的局部高度，并實(shí)現膜厚測量功能；

4.紅外傳感器發(fā)出的探測光在 Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），適用于測量外延片、鍵合晶圓幾何參數。

5.CCD定位巡航功能，具備Mark定位，及圖案晶圓避障功能。

WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測系統已廣泛應用于襯底制造、外延制造、晶圓制造、晶圓減薄設備、晶圓拋光設備、及封裝減薄工藝段的量測；覆蓋半導體前道、中道、后道整條工藝線(xiàn)。該系統不僅廣泛應用于半導體行業(yè)，在3C電子玻璃屏、光學(xué)加工、顯示面板、光伏、等超精密加工行業(yè)也大幅鋪開(kāi)應用。

量測系統自動(dòng)上下料，自動(dòng)測量

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