簡(jiǎn)要描述:WD4000晶圓表面形貌測量設備自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚??蓮V泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。
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品牌 | CHOTEST/中圖儀器 |
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WD4000晶圓表面形貌測量設備自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚??蓮V泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。
1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;
2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀(guān)幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過(guò)濾頻譜等功能;提取包括提取區域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線(xiàn)度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線(xiàn)粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷。
WD4000晶圓表面形貌測量設備可測各類(lèi)包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀(guān)幾何輪廓、曲率等,提供依據SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內外標準共計300余種2D、3D參數作為評價(jià)標準。非接觸厚度、三維維納形貌一體測量:集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。
1、無(wú)圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過(guò)非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。
2、無(wú)圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來(lái)反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車(chē)間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,測量穩定性良好。
懇請注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內容可能會(huì )根據實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號 | WD4000 |
厚度和翹曲度測量系統 | |
可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn) |
測量參數 | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線(xiàn)粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統 | |
測量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè)) |
可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復性 | 0.005nm |
測量參數 | 顯微形貌 、線(xiàn)/面粗糙度、空間頻率等三大類(lèi)300余種參數 |
膜厚測量系統 | |
測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測厚度 | 0.4um |
紅外干涉測量系統 | |
光源 | SLED |
測量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤(pán)載臺 |
X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
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