簡(jiǎn)要描述:WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測系統自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚?;诎坠飧缮鎴D的光譜分析儀,通過(guò)數值七點(diǎn)相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實(shí)現膜厚測量功能。
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品牌 | CHOTEST/中圖儀器 |
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WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測系統自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。
1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數,同時(shí)生成Mapping圖;
2、采用白光干涉測量技術(shù)對Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數;
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過(guò)數值七點(diǎn)相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實(shí)現膜厚測量功能;
4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。
1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;
2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀(guān)幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過(guò)濾頻譜等功能;提取包括提取區域和提取剖面等功能。
4、WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測系統提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線(xiàn)度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線(xiàn)粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷。
品牌:CHOTEST中圖儀器
型號:WD4000系列
厚度和翹曲度測量系統
可測材料:砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測量范圍:150μm~2000μm
掃描方式:Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn)
測量參數:厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線(xiàn)粗糙度
三維顯微形貌測量系統
測量原理:白光干涉
干涉物鏡:10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè))
可測樣品反射率:0.05%~100%
粗糙度RMS重復性:0.005nm
測量參數:顯微形貌 、線(xiàn)/面粗糙度、空間頻率等三大類(lèi)300余種參數
膜厚測量系統
測量范圍:90um(n= 1.5)
景深:1200um
最小可測厚度:0.4um
紅外干涉測量系統
光源:SLED
測量范圍:37-1850um
晶圓尺寸:4"、6"、8"、12"
晶圓載臺:防靜電鏤空真空吸盤(pán)載臺
X/Y/Z工作臺行程:400mm/400mm/75mm
如有疑問(wèn)或需要更多詳細信息,請隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢(xún)。
1、無(wú)圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過(guò)非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。
2、無(wú)圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來(lái)反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車(chē)間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,測量穩定性良好。
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