半導體量測領(lǐng)域新增量測設備！中圖儀器無(wú)圖晶圓幾何量測系統正式發(fā)布

在晶圓制造前道過(guò)程的不同工藝階段點(diǎn)，往往需要對wafer進(jìn)行厚度（THK）、翹曲度（Warp）、膜厚、關(guān)鍵尺寸（CD）、套刻（Overlay）精度等量測，以及缺陷檢測等；用于檢測每一步工藝后wafer加工參數是否達到設計標準，以及缺陷閾值下限，從而進(jìn)行工藝控制與良率管理。半導體前道量檢測設備，要求精度高、效率高、重復性好，量檢測設備一般會(huì )涉及光電探測、精密機械、電子與計算機技術(shù)，因此在半導體設備中，技術(shù)難度高。

在wafer基材加工階段，從第一代硅，第二代砷化鎵到第三代也是現階段熱門(mén)的碳化硅、氮化鎵襯底都是通過(guò)晶錠切片、研磨、拋光后獲得，每片襯底在各工藝后及出廠(chǎng)前，都要對厚度、翹曲度、彎曲度、粗糙度等幾何形貌參數進(jìn)行系統量測，需要相應的幾何形貌量測設備。

下圖為國內某頭部碳化硅企業(yè)產(chǎn)品規范，無(wú)論是production wafer，research wafer，還是dummy wafer，出廠(chǎng)前均要對幾何形貌參數進(jìn)行量測，以保證同批、不同批次產(chǎn)品的一致性、穩定性，也能防止后序工藝由于wafer warpage過(guò)大，產(chǎn)生碎片、裂片的情況。

中圖儀器針對晶圓幾何形貌量測需求，基于在精密光學(xué)測量多年的技術(shù)積累，歷經(jīng)數載，自研了WD4000系列無(wú)圖晶圓幾何量測系統，適用于線(xiàn)切、研磨、拋光工藝后，進(jìn)行wafer厚度（THK）、整體厚度變化（TTV）、翹曲度（Warp）、彎曲度（Bow）等相關(guān)幾何形貌數據測量，能夠提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等幾何形貌圖及系列參數，有效監測wafer形貌分布變化，從而及時(shí)管控與調整生產(chǎn)設備的工藝參數，確保wafer生產(chǎn)穩定且高效。

晶圓制造工藝環(huán)節復雜，前道制程所需要的量檢測設備種類(lèi)多、技術(shù)難度高, 因此也是所有半導體設備賽道中壁壘最高的環(huán)節。伴隨半導體制程的演進(jìn)，IC制造對于過(guò)程管控的要求越來(lái)越高，中圖儀器持續投入開(kāi)發(fā)半導體量檢測設備，積極傾聽(tīng)客戶(hù)需求，不斷迭代技術(shù)，WD4000系列在諸多頭部客戶(hù)端都獲得了良好反響!

千淘萬(wàn)漉雖辛苦，吹盡狂沙始到金。圖強鑄器、精準制勝，中圖儀器與中國半導體產(chǎn)業(yè)共同成長(cháng)。